中車時代半導體攜多款產(chǎn)品亮相PCIM Europe 2018
6月5日至6月7日，歐洲電力電子及應(yīng)用領(lǐng)域、智能運動和電能質(zhì)量領(lǐng)先的展覽及會議，也是全球最大的功率半導體展會PCIM Europe 2018在德國紐倫堡國際展覽中心隆重舉辦，中車時代半導體攜多款產(chǎn)品以全新的風格驚艷亮相，吸引了眾多行業(yè)專家和客戶駐足交流，反響強烈。
會上，中車時代半導體發(fā)布了針對工業(yè)變頻、新能源、電動汽車和電力行業(yè)推出的中低壓IGBT M系列、H系列和S系列模塊，電壓涵蓋750V、1200V和1700V, 電流涵蓋300A至1400A，為各應(yīng)用領(lǐng)域提供全系列和極具競爭力的產(chǎn)品；針對HVDC、STATCOM和大功率傳動等應(yīng)用領(lǐng)域推出的Flexpack壓接式IGBT器件，電壓等級4500V, 電流等級涵蓋800A至3000A, 適用各種嚴苛的應(yīng)用環(huán)境。產(chǎn)品引起了眾多客戶及國內(nèi)外同行的濃厚興趣，部分客戶還針對后續(xù)的合作進行了深入交流。
同時，中車時代電氣在此次展會上還重點推出了IGBT芯片業(yè)務(wù)。其推出的6英寸和8英寸晶圓分別來自英國和中國工廠，基于TMOS+增強型溝槽柵芯片技術(shù)和DMOS+增強型平面柵芯片技術(shù)，為眾多模塊封裝廠家提供了技術(shù)領(lǐng)先和性價比優(yōu)良的芯片解決方案，成為中車時代半導體展臺上的又一亮點。
此外，中車時代半導體推出的基于雙面散熱技術(shù)的HIPA系列IGBT集成功率模塊、1200V至3300V的TO封裝SBD、混合IGBT模塊和純SiC MOSFET模塊等產(chǎn)品也亮相此次展會，收受到了參展客戶和展商的一致好評。通過PCIM 2018 Europe展會, 中車時代半導體成功向行業(yè)主要客戶展示了其研發(fā)創(chuàng)新和生產(chǎn)制造能力，通過現(xiàn)場的交流和走訪，使客戶更加深入的了解事業(yè)部的產(chǎn)品技術(shù)水平、產(chǎn)業(yè)化規(guī)模和市場影響力，為進一步打開國際市場奠定了良好的基礎(chǔ)。
會上，中車時代半導體發(fā)布了針對工業(yè)變頻、新能源、電動汽車和電力行業(yè)推出的中低壓IGBT M系列、H系列和S系列模塊，電壓涵蓋750V、1200V和1700V, 電流涵蓋300A至1400A，為各應(yīng)用領(lǐng)域提供全系列和極具競爭力的產(chǎn)品；針對HVDC、STATCOM和大功率傳動等應(yīng)用領(lǐng)域推出的Flexpack壓接式IGBT器件，電壓等級4500V, 電流等級涵蓋800A至3000A, 適用各種嚴苛的應(yīng)用環(huán)境。產(chǎn)品引起了眾多客戶及國內(nèi)外同行的濃厚興趣，部分客戶還針對后續(xù)的合作進行了深入交流。
同時，中車時代電氣在此次展會上還重點推出了IGBT芯片業(yè)務(wù)。其推出的6英寸和8英寸晶圓分別來自英國和中國工廠，基于TMOS+增強型溝槽柵芯片技術(shù)和DMOS+增強型平面柵芯片技術(shù)，為眾多模塊封裝廠家提供了技術(shù)領(lǐng)先和性價比優(yōu)良的芯片解決方案，成為中車時代半導體展臺上的又一亮點。
此外，中車時代半導體推出的基于雙面散熱技術(shù)的HIPA系列IGBT集成功率模塊、1200V至3300V的TO封裝SBD、混合IGBT模塊和純SiC MOSFET模塊等產(chǎn)品也亮相此次展會，收受到了參展客戶和展商的一致好評。通過PCIM 2018 Europe展會, 中車時代半導體成功向行業(yè)主要客戶展示了其研發(fā)創(chuàng)新和生產(chǎn)制造能力，通過現(xiàn)場的交流和走訪，使客戶更加深入的了解事業(yè)部的產(chǎn)品技術(shù)水平、產(chǎn)業(yè)化規(guī)模和市場影響力，為進一步打開國際市場奠定了良好的基礎(chǔ)。
